TSMC, 차세대 HBM4 하이닉스와 공동 제작

삼성전자 등과 주도권 경쟁

SK하이닉스가 대만 TSMC와 손잡고 인공지능(AI) 반도체에 필수인 차세대 고대역폭메모리(HBM)를 공동 개발하기로 한 것과 관련한 구체적인 역할 분담 밑그림이 나오고 있다. SK하이닉스는 지금까지 HBM을 자체 생산해왔지만, 6세대 모델인 HBM4부터 TSMC가 주요 공정을 함께 제작하는 게 핵심 내용이다.

TSMC는 14일 네덜란드 암스테르담에서 열린 ‘TSMC 유럽 기술 심포지엄’ 행사에서 “HBM4의 베이스 다이(기판)에 12나노급 공정과 5나노급 공정 기술을 적용할 것”이라고 밝혔다.

HBM은 베이스 다이라고 불리는 틀에 D램 반도체를 쌓아 올리는 형태로 제작된다. 현재는 D램과 베이스 다이를 SK하이닉스가 모두 생산하고, TSMC가 이를 받아 다른 부품과 함께 패키징(조립)해 왔다. 하지만 HBM4의 경우 TSMC가 베이스 다이를 직접 제작하는 것으로 알려졌다.

반도체 업계 관계자는 “지금까지 SK하이닉스와 삼성전자가 HBM 시장을 주도해 왔는데 TSMC가 참여하면서 TSMC의 영향력이 커질 수 있다”고 말했다. 반면 삼성전자는 HBM4에서도 베이스 다이와 D램 반도체까지 모두 직접 생산한다는 계획이다.

앞서 지난달 19일 SK하이닉스는 TSMC와의 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결하고 2026년 양산 예정인 HBM4를 함께 개발한다고 밝힌 바 있다.

변종국 기자 bjk@donga.com