삼성전자·SK하이닉스, 1분기 R&D·시설 투자 확대… 반도체 업황 회복 본격화

사진은 삼성전자 화성캠퍼스 파운드리 공장 전경./뉴스1

삼성전자와 SK하이닉스가 올해 1분기 지난해 같은 기간과 비교할 때 연구개발(R&D) 비용과 시설 투자를 확대한 것으로 나타났다. 반도체 업황 회복이 본격화되며 시장 선점을 위한 비용 투자를 늘린 것으로 추정된다.

16일 각사가 공시한 분기보고서에 따르면 삼성전자는 올해 1분기 R&D 비용으로 7조8201억원, SK하이닉스는 1조1090억원을 집행했다. 삼성전자는 지난해 같은 기간(6조5790억원)과 비교할 때 19%, SK하이닉스(1조895억원)는 2% 가량 늘었다.

삼성전자는 반도체 업황이 최악이었던 작년 1분기에도 R&D 비용을 전년 동기보다 11% 늘렸는데, 올해 1분기에는 비용 증가 폭이 더 커졌다.

SK하이닉스는 주요 연구개발 실적으로 세계 최초로 양산을 시작한 4세대 고대역 폭메모리(HBM) HBM3E, 온디바이스 인공지능(AI) PC용 고성능 솔리드스테이트드라이브(SSDB) 제품 ‘PCB01′ 등을 언급했다

1분기 삼성전자 시설투자액은 총 11조3087억원으로 집계됐다. 지난해 1분기(10조7388억원)보다 5% 정도 늘었다. 다만 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문 투자액은 9조7877억원에서 9조6663억원으로 소폭 줄었다.

삼성전자는 “1분기 중 DS 부문 및 삼성디스플레이 등의 첨단공정 증설·전환과 인프라 투자를 중심으로 시설투자가 이뤄졌다”며 “올해 글로벌 시황 개선에 대비해 차세대 기술 경쟁력 강화와 중장기 수요 대비를 위한 투자를 지속 점검하고, 투자 효율성 제고로 내실을 다지는 활동도 병행할 계획”이라고 밝혔다.

SK하이닉스의 1분기 시설투자액은 2조9430억원으로 작년 동기의 1조7480억원 대비 1조2000억원가량(68%) 증가했다.

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