반도체 업황 회복…1분기 삼성전자·SK하이닉스 R&D·투자 확대

삼성전자 화성캠퍼스 [삼성전자 제공. 재판매 및 DB 금지]

(서울=연합뉴스) 김아람 기자 = 반도체 업황이 회복세를 보인 가운데 삼성전자와 SK하이닉스가 올해 1분기에 연구개발(R&D) 비용과 시설 투자를 늘렸다.

16일 각사가 공시한 분기보고서에 따르면 삼성전자는 올해 1분기 R&D 비용으로 7조8천201억원을 집행했다.

이는 작년 동기의 6조5천790억원 대비 19% 증가한 수준으로 1분기 기준 역대 최대 규모다.

삼성전자는 반도체 업황이 최악이었던 작년 1분기에도 R&D 비용을 전년 동기보다 11% 늘렸는데, 올해 1분기에는 비용 증가 폭이 더 커졌다.

1분기 삼성전자 시설투자액은 총 11조3천087억원으로 집계됐다. 지난해 1분기의 10조7천388억원보다 5% 정도 늘었다.

다만 반도체 사업을 하는 디바이스솔루션(DS) 부문 투자액은 9조7천877억원에서 9조6천663억원으로 소폭 줄었다.

삼성전자는 "1분기 중 DS 부문 및 삼성디스플레이 등의 첨단공정 증설·전환과 인프라 투자를 중심으로 시설투자가 이뤄졌다"며 "2024년 글로벌 시황 개선에 대비해 차세대 기술 경쟁력 강화와 중장기 수요 대비를 위한 투자를 지속 점검하고, 투자 효율성 제고로 내실을 다지는 활동도 병행할 계획"이라고 밝혔다.

SK하이닉스의 1분기 시설투자액은 2조9천430억원으로 작년 동기의 1조7천480억원 대비 1조2천억원가량(68%) 급증했다.

또 SK하이닉스는 올해 1분기에 R&D 비용으로 1조1천90억원을 썼다. 작년 1분기의 1조895억원보다는 2%가량 늘었다.

회사 측은 주요 연구개발 실적으로 세계 최초로 양산을 시작한 4세대 고대역 폭메모리(HBM) HBM3E, 온디바이스 인공지능(AI) PC용 고성능 솔리드스테이트드라이브(SSDB) 제품 'PCB01' 등을 소개했다.

rice@yna.co.kr

▶제보는 카톡 okjebo