SK하이닉스, HBM4E 2026년 개발 목표… 계획보다 1년 앞당겨
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SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E가 이르면 2026년 개발될 것이라고 밝혔다.
13일 김귀욱 SK하이닉스 HBM선행기술팀장은 서울 광진구 워커힐호텔에서 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)에서 차세대 HBM 개발 방향을 공유하며 "HBM이 4세대(HBM3) 제품까지는 2년 단위로 발전해왔지만, 5세대(HBM3E) 제품 이후로는 1년 주기로 단축되고 있다"고 했다.
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SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E가 이르면 2026년 개발될 것이라고 밝혔다.
13일 김귀욱 SK하이닉스 HBM선행기술팀장은 서울 광진구 워커힐호텔에서 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)에서 차세대 HBM 개발 방향을 공유하며 “HBM이 4세대(HBM3) 제품까지는 2년 단위로 발전해왔지만, 5세대(HBM3E) 제품 이후로는 1년 주기로 단축되고 있다”고 했다.
아직 SK하이닉스의 HBM4E 로드맵이 공식적으로 발표되지는 않았다. 하지만 개발 주기가 1년으로 단축되고 있는 상황을 고려하면 HBM4E의 개발이 2026년에 완료될 것으로 전망된다.
HBM 시장에서 선두를 달리고 있는 SK하이닉스가 삼성전자와 마이크론 등 HBM 시장 경쟁자와의 격차를 벌리기 위해 개발 주기를 앞당긴 것으로 추정된다. SK하이닉스는 엔비디아에 HBM3를 사실상 독점 공급한 바 있다. 지난 3월에는 메모리 업체 중 가장 먼저 HBM3E 8단 제품을 납품하기 시작했다.
SK하이닉스는 HBM3E 12단 제품의 샘플을 이달 중 제공하고 오는 3분기 양산이 가능하도록 준비 중이다. 당초 2026년 공급 예정이던 6세대 HBM4 12단 제품도 내년으로 앞당겨 양산할 계획이다.
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