어플라이드, 서울 ‘국제 메모리 워크숍 2024′서 메모리 혁신 기술 소개
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국제 메모리 워크숍은 IEEE 전자소자협회(IEEE Electron Devices Society)가 주최하는 권위 높은 메모리 기술 관련 연례 국제 학회로, 전 세계 엔지니어와 연구자들이 모여 메모리 소자 및 공정, 설계, 패키징 기술의 최신 발전을 논의한다.
어플라이드는 이번 워크숍에서 ▲게이트올어라운드(GAA) S램: Vccmin 스케일링을 위한 성능 조사 및 최적화 ▲메모리 기능을 갖춘 3D 낸드 차량에서 고속 성장률 에피택셜 성장 Si 채널의 시연 ▲자가 정류 비휘발성 터널링 시냅스: 멀티스케일 모델 증강 개발 ▲고대역폭 메모리를 위한 차세대 이기종 통합 문제를 해결할 수 있는 다이 투 웨이퍼 하이브리드 본딩 과제 등 재료 엔지니어링의 혁신을 강조하는 4건의 논문 발표를 진행한다.
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어플라이드 머티어리얼즈가 12일부터 15일까지 서울 그랜드 워커힐 호텔에서 열리는 ‘국제 메모리 워크숍(IEEE IMW) 2024′에서 메모리 칩의 공정 장비 및 기술 발전에 대해 소개한다고 7일 밝혔다.
국제 메모리 워크숍은 IEEE 전자소자협회(IEEE Electron Devices Society)가 주최하는 권위 높은 메모리 기술 관련 연례 국제 학회로, 전 세계 엔지니어와 연구자들이 모여 메모리 소자 및 공정, 설계, 패키징 기술의 최신 발전을 논의한다. 올해 16회를 맞이했으며 한국에서 두 번째로 개최된다.
어플라이드는 이번 워크숍에서 ▲게이트올어라운드(GAA) S램: Vccmin 스케일링을 위한 성능 조사 및 최적화 ▲메모리 기능을 갖춘 3D 낸드 차량에서 고속 성장률 에피택셜 성장 Si 채널의 시연 ▲자가 정류 비휘발성 터널링 시냅스: 멀티스케일 모델 증강 개발 ▲고대역폭 메모리를 위한 차세대 이기종 통합 문제를 해결할 수 있는 다이 투 웨이퍼 하이브리드 본딩 과제 등 재료 엔지니어링의 혁신을 강조하는 4건의 논문 발표를 진행한다. 또 ‘메모리 애플리케이션을 위한 첨단 채널 재료’ 주제의 패널 토론에도 참여한다.
어플라이드 머티어리얼즈는 10년 이상 IMW를 후원해 왔으며, 올해 행사에 프리미어 스폰서로 참여한다.
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