하이닉스 "HBM 내년 생산분까지 대부분 완판…HBM3E 12단, 3분기 양산"

"하이닉스 고유 첨단패키징 공법' 어드밴스드 MR-MUF', HBM고단 적층에도 최적"

SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장이 2일 이천 본사에서 'AI시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 기자 간담회를 진행하고 있다. SK하이닉스 제공

SK하이닉스가 주도권을 잡은 HBM(High Bandwidth Memory, 고대역폭 메모리) 시장에 고삐를 죄고 있다.

하이닉스는 올해에 이어 내년에 생산할 HBM까지 대부분 완판됐다고 밝히며, 시장 리더십을 강화하기 위해 5세대 제품인 HBM3E 12단 제품 샘플을 이달 안으로 제공하고 3분기부터 양산한다는 계획이다.

하이닉스는 2일 경기도 경기도 이천 본사에서 'AI(인공지능) 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 한 내외신 기자간담회를 열고 AI 메모리 기술력 및 시장 현황, 청주.용인.미국 등 미래 주요 생산거점 관련 투자 계획을 공개하며 이같이 밝혔다.

오는 2027년 5월 용인 클러스터 첫 팹 준공을 3년 앞두고 열린 이날 행사에는 곽노정 대표이사 사장과 김주선 사장(AI Infra 담당), 김종환 부사장(D램개발 담당), 안현 부사장(N-S Committee 담당), 김영식 부사장(제조/기술 담당), 최우진 부사장(P&T 담당), 류병훈 부사장(미래전략 담당), 김우현 부사장(CFO) 등 주요 경영진이 참석했다.

곽노정 사장은 "현재 HBM은 생산 측면에서 보면, 올해 이미 솔드아웃(완판)인데, 내년 역시 거의 솔드아웃됐다"며 시장 지배력을 과시했다.

HBM 후발주자인 삼성전자가 먼저 개발한 HBM3E 12단 제품에 대해서는 "세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 제공하고, 3분기 양산 가능하도록 준비중"이라고 밝혔다.

곽 사장은 이어 "내실 있는 '질적 성장'을 위해 원가 경쟁력을 강화하고, 고수익 제품 중심으로 판매를 늘려 '수익성'을 지속적으로 높여 나가는 한편 변화하는 수요 환경에 유연하게 대응하는 투자 방식으로 재무 건전성도 지속해서 제고해나갈 계획"이라고 밝혔다.

김주선 사장은 "AI 시대는 데이터 중심(Data centric) 시대를 뜻하며, 이 데이터를 저장, 축적, 재생산하는 선순환 고리의 중심에 메모리가 있다"며 " SK하이닉스는 다양한 AI 응용처에서 기술 리더십을 확보하고 있다"고 말했다.

이어 "D램에서는 HBM3E와 256GB 이상의 초고용량 모듈을 양사하고, 세계 최고 속도의 LPDDR5T도 상용화하는가 하면 낸드에서도 업계 유일의 60TB 이상 QLC 기반 SSD를 공급하는 등 세계 최고의 AI 메모리 공급사의 지위를 유지하고 있다"며 "이에 그치지 않고 HBM4와 4E, LPDDR6, 300TB SSD, CXL 풀드 메모리(Pooled Memory) 솔루션, PIM(Processing-In-Memory) 등 혁신적인 메모리를 함께 준비하고 있다"고 덧붙였다.

자사의 HBM 핵심 기술력과 미국 어드밴스드 패키징을 추진하겠다는 계획도 전했다.

최우진 부사장은 "하이닉스가 보유한 HBM 핵심 패키지 기술 중 하나가 MR-MUF 기술인데, 이 기술이 High Stack에서 한계를 보일 수 있다는 의견이 있지만 하이닉스는 어드밴스드 MR-MUF 기술로 이미 HBM3 12Hi 제품을 양산하고 있다"며 "어드밴스드 MR-MUF는 칩의 휨 현상 제어(Warpage control)에도 탁월한 고온.저압 방식으로 고단 적층에 가장 적합한 솔루션이며, 16단 구현까지 순조롭게 기술 개발중"이라고 소개했다. 이어 "하이닉스는 HBM4에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 16단 제품을 구현할 예정이며, 하이브리드 본딩(Hybrid bonding) 기술 역시 선제적으로 검토하고 있다"고 덧붙였다.

미국 투자와 관련해서는 "미국 인디애나 공장에서는 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품이 양산될 예정"이라며 "이 지역에서 고객 협력과 AI 경쟁력 강화를 추진하는 한편, 주변 대학 및 연구개발센터들과 연구개발 협력을 통해 반도체 인력을 양성하고 AI 미래 산업에도 기여하겠다"고 말했다.

청주 M15x와 용인 클러스터 관련 계획도 밝혔다.

김영식 부사장은 "급증하는 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터 첫 팹 가동 전에 캐파 확대가 필요했고, 이미 부지가 확보돼 있는 청주에 M15x를 건설하기로 했다"며 "내년 11월 준공 후 2026년 3분기부터 본격 양산에 들어갈 계획"이라고 밝혔다.

M15x는 연면적 6만 3천평 규모의 복층 팹으로, EUV를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정이다. TSV 캐파 확장 중인 M15와 인접해 있어 HBM 생산 효율을 극대화할 수 있을 것으로 하이닉스는 기대하고 있다.

용인 클러스터와 관련해서는 "하이닉스는 팹 4기를 순차적으로 이곳에 구축할 계획이며, 협력화 단지에는 국내외 소부장 업체들이 입주해 SK하이닉스와 협업해 반도체 생태계를 키워갈 것"이라며 "클러스터에는 미니팹도 건설해 국내 소부장 업체가 시제품을 실제 양산 환경과 비슷한 환경에서 검증하고 기술 완성도를 높일 수 있는 솔루션을 제공받도록 할 것"이라고 말했다.

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CBS노컷뉴스 김수영 기자 sykim@cbs.co.kr

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