곽노정 SK하이닉스 사장 "내년 생산 HBM도 대부분 완판"

HBM3E 12단 3분기 양산 돌입… 용인·청주·미국 투자로 AI 수요 적기 대응

SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장이 2일 이천 본사에서 ‘AI시대, SK하이닉스 비전과 전략’을 주제로 기자 간담회를 진행하고 있다. / 사진=SK하이닉스

곽노정 SK하이닉스 사장은 2일 "고대역폭메모리(HBM) 생산 측면에서 올해는 이미 솔드아웃(완판) 됐으며 내년에도 대부분 솔드아웃 됐다"고 밝혔다.

곽 사장은 이날 경기도 이천 본사에서 열린 'AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략' 기자간담회에서 AI 메모리 기술력 및 시장 현황, 청주·용인·미국 등 미래 주요 생산거점 관련 투자 계획을 소개하며 이같이 말했다.

곽 사장은 모두발언에서 "현재 AI는 데이터센터 중심이지만 향후 스마트폰, PC, 자동차 등 온디바이스 AI로 빠르게 확산될 전망"이라며 "AI에 특화된 '초고속·고용량·저전력' 메모리 수요가 폭발적으로 증가할 것"이라고 내다봤다.

이어 "SK하이닉스는 HBM, TSV 기반 고용량 D램, 고성능 eSSD 등 각 제품별 업계 최고의 기술 리더십을 확보했다"며 "앞으로 글로벌 파트너사들과의 전략적인 협업을 통해 세계 최고의 고객맞춤형 메모리 솔루션을 제공할 것"이라고 설명했다.

HBM 기술 측면에서는 "시장 리더십을 더욱 확고히 하기 위해 세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 제공하고 3분기 양산 가능하도록 준비 중"이라고 했다.

아울러 "앞으로 내실 있는 '질적 성장'을 위해 원가 경쟁력을 강화하고 고수익 제품 중심으로 판매를 늘려 수익성을 지속적으로 높여 나가는 한편 변화하는 수요 환경에 유연하게 대응하는 투자 방식으로 캐시 수준을 높여서 재무 건전성도 지속 제고해 나갈 계획"이라며 "AI 시대, 고객으로부터 가장 신뢰받는 준비된 기업이자, 업황 변화에 흔들리지 않는 내실 있는 기업으로 성장해 국가경제에 기여하고 우리나라가 AI 반도체 강국으로 올라설 수 있도록 앞장서겠다"고 강조했다.

AI 시대 개화로 전세계에서 생산되는 데이터 총량은 2014년 15ZB(제타바이트)에서 2030년 660ZB까지 늘어날 것으로 전망된다.이에 따라 지난해 전체 메모리 시장의 약 5%(금액 기준) 수준이던 HBM과 고용량 D램 모듈 등 AI 메모리의 비중도 2028년엔 61%에 달할 것으로 보인다.

SK하이닉스는 이미 다양한 AI 응용처에서 기술 리더십을 확보했다. 김주선 AI인프라 담당 사장은 "D램에서는 HBM3E와 256GB 이상의 초고용량 모듈을 양산하고 있고 세계 최고 속도의 LPDDR5T도 상용화했다"며 "낸드에서도 업계 유일의 60TB 이상 QLC 기반 SSD를 공급하는 등 세계 최고의 AI 메모리 공급사의 지위를 유지하고 있다"고 말했다.

또한 HBM4와 HBM4E, LPDDR6, 300TB SSD, CXL 풀드 메모리 솔루션, PIM 등 혁신적인 차세대 메모리 제품도 함께 개발하고 있다는 설명이다. 비메모리 부문에 대해선 김 사장은 "글로벌 탑티어 시스템반도체, 파운드리 등 파트너들과 원팀 협업해 최고의 제품을 적시 개발, 공급하겠다"고 전했다.

SK하이닉스의 HBM 핵심 패키지 기술 중 하나는 MR-MUF다. MR-MUF는 과거 공정 대비 칩 적층 압력을 6% 수준까지 낮추고, 공정시간을 줄여 생산성을 4배로 높이며, 열 방출도 45% 향상시키는 기술이다. SK하이닉스는 열 방출 성능을 10% 더 높인 어드밴스드 MR-MUF 기술을 HBM3E 12단 제품에 적용했다. 이를 통해 16단까지 구현할 수 있다는 설명이다.

최우진 P&T담당 부사장은 "HBM4에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 16단 제품을 구현할 예정"이라며 "하이브리드 본딩 기술 역시 선제적으로 검토하고 있다"고 밝혔다.

SK하이닉스는 최근 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하기로 확정했다. 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품이 양산될 예정이다.

국내에서도 청주에 M15x를 건설하기로 했다. 지난달 M15x 팹 건설 공사에 착수했으며 내년 11월 준공 후 2026년 3분기부터 본격 양산에 들어갈 계획이다. 김영식 제조기술 담당 부사장은 "M15x는 연면적 6만3000평 규모의 복층 팹으로 EUV를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정"이라며 "TSV 캐파 확장 중인 M15와 인접해 있어 HBM 생산 효율을 극대화할 수 있다"고 소개했다.

용인 클러스터 투자 역시 차질없이 진행 중이다. 용인 클러스터는 총 415만㎡(약 126만평) 규모 부지에 회사 팹 56만평, 소부장 업체 협력화 단지 14만평, 인프라 부지 12만평 등이 조성된다. 첫 팹이 들어설 1단계 부지 조성 공사 진척률은 약 42% 수준이다.

용인 클러스터 첫 팹은 내년 3월 공사에 착수해 2027년 5월 준공 예정이다. 미니팹도 건설, 소부장 업체가 시제품을 실제 양산 환경과 비슷한 환경에서 검증할 수 있도록해 기술 완성도를 높일 수 있도록 솔루션도 제공한다.

김영식 부사장은 "SK하이닉스는 용인 클러스터를 통해 국내 반도체 생태계를 강화하고 우리나라 반도체 주도권을 더욱 공고히 하겠다"고 강조했다.

이한듬 기자 mumford@mt.co.kr