'HBM 리더십' SK하이닉스 곽노정 "12단 5월 샘플 제공·3분기 양산"

[곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장.]

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 "HBM 기술 측면에서 보면, 당사는 시장 리더십을 더욱 확고히 하기 위해 세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 제공하고, 3분기 양산 가능하도록 준비 중"이라고 밝혔습니다.

SK하이닉스는 오늘(2일) 경기도 이천 본사에서 'AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 한 내외신 기자간담회를 열고, AI 메모리 기술력과 시장 현황, 청주·용인·미국 등 미래 주요 생산거점 관련 투자 계획을 밝혔습니다.

오늘 행사에는 곽노정 대표이사 사장과 함께 김주선 사장(AI Infra 담당), 김종환 부사장(D램개발 담당), 안현 부사장(N-S Committee 담당), 김영식 부사장(제조·기술 담당), 최우진 부사장(P&T 담당), 류병훈 부사장(미래전략 담당), 김우현 부사장(CFO) 등 주요 경영진이 참석했습니다.

현재 SK하이닉스는 AI 열풍에 적기에 대응하고 HBM 기술력을 끌어올려 엔비디아에 5세대 고대역폭메모리인 HBM3E 독점 공급을 진행하는 것으로 알려졌습니다.

곽 사장은" 현재 고대역폭메모리(HBM)은 생산 측면에서 올해 이미 솔드아웃(Sold-out, 완판)인데, 내년 역시 거의 솔드아웃됐다"고 밝혔습니다.

동시에 AI 서버에 사용되는 HBM 이외에 온디바이스AI에 사용되는 LPDDR5 등 메모리의 활용성도 높아질 것으로 예측했습니다. 현재 AI는 데이터센터 중심이지만, 향후 스마트폰, PC, 자동차 등 온디바이스 AI로 빠르게 확산될 수 있다는 설명입니다. 

이에 따라 AI에 특화된 '초고속·고용량·저전력' 메모리 수요가 폭발적으로 증가할 것이라고 덧붙였습니다.

곽 사장은 "앞으로 당사는 내실 있는 '질적 성장'을 위해 원가 경쟁력을 강화하고, 고수익 제품 중심으로 판매를 늘려 '수익성'을 지속적으로 높여 나가는 한편, 변화하는 수요 환경에 유연하게 대응하는 투자 방식으로 현금보유량을 늘려 재무 건전성도 지속 제고해 나갈 계획"이라고 밝혔습니다.

HBM·고용량 D램 2028년에는 메모리 시장 61% 
SK하이닉스는 AI 시대 반도체 산업은 구조부터 바뀌는 패러다임 전환을 겪을 것이라고 전망했습니다.

AI 인프라 담당인 김주선 SK하이닉스 사장은 "AI 시대는 데이터 중심(Data centric) 시대를 뜻하며, 이 데이터를 저장, 축적, 재생산하는 선순환 고리의 중심에 메모리가 있다"고 전망했습니다.

AI 시대에 들어서, 전세계에서 생산되는 데이터 총량은 2014년 15ZB(Zettabyte, 제타바이트)에서 2030년 660ZB까지 늘어날 것으로 전망되고 있습니다. 1ZB는 1조GB(기가바이트) 수준입니다.

지난해 2023년 전체 메모리 시장의 약 5%(금액 기준)를 차지했던 HBM과 고용량 D램 모듈 등 AI 메모리의 비중이 2028년엔 61%에 달할 것으로 예상되고 있습니다.

김 사장은 AI 반도체 시대에 대비하기 위해 "HBM4(6세대)와 4E(7세대), LPDDR6, 300TB SSD뿐만 아니라 CXL 풀드 메모리(Pooled Memory) 솔루션, PIM(Processing-In-Memory) 등 혁신적인 메모리를 함께 준비하고 있다"고 설명했습니다.

CXL 풀드 메모리 솔루션은 여러 개의 CXL 메모리를 묶어 풀(Pool)을 구성하고, 여러 호스트(CPU, GPU 등)가 용량을 나눠 쓰도록 해주는 기술로 차세대 메모리 솔루션으로 주목받고 있습니다. PIM은 메모리 반도체에 연산 기능을 더해 인공지능(AI)과 빅 데이터 처리 분야에서 데이터 이동 정체 문제를 풀어낼 수 있는 기술입니다.

현재 SK하이닉스는 D램에서는 HBM3E와 256GB 이상의 초고용량 모듈을 양산하고 있으며, 세계 최고 속도의 LPDDR5T도 상용화했습니다.

동시에 낸드에서도 업계 유일의 60TB 이상 QLC 기반 SSD를 공급하는 등 세계 최고의 AI 메모리 공급사 역할을 하고 있다고 설명했습니다.

김 사장은 "아울러 당사는 글로벌 탑티어(Top-tier) 시스템반도체, 파운드리 등 파트너들과 원팀(One team) 협업해 최고의 제품을 적시 개발, 공급하겠다"고 포부를 밝혔습니다.

MR-MUF 기술력 자신감…16단에도 도입
동시에 경쟁사인 삼성전자와 달리 SK하이닉스는 여러 층의 D램을 한 번에 포장하는 기술인 'MR-MUF(Mass Reflow-Molded UnderFill)' 방식을 활용하고 있습니다. 

MR-MUF 기술은 과거 공정 대비 칩 적층 압력을 6% 수준까지 낮추고, 공정시간을 줄여 생산성을 4배로 높이며, 열 방출도 45% 향상했습니다.

앞서 MR-MUF 기술이 초고층 단수에 한계가 있다는 지적이 나왔지만 최우진 P&T 담당(부사장)은 "실제로는 그렇지 않으며, 우리는 Adv. MR-MUF기술로 이미 HBM3 12Hi 제품을 양산하고 있다"고 밝혔습니다.

이어 " 아울러 당사가 최근 도입한 어드밴스드(Advanced) MR-MUF는 MR-MUF의 장점을 그대로 유지하는 가운데 신규 보호재를 적용해 방열 특성을 10% 더 개선했다"고 밝혔습니다.

SK하이닉스는 지난달 25일 1분기 실적발표회에서 공정을 16단 HBM에도 MR-MUF 방식을 적용할 예정이라고 밝힌 바 있습니다.

청주에 확장 팹 건설…용인 부지 조성 중
동시에 SK하이닉스는 국내에서 반도체 공장(팹)을 건설해 리더십을 유지하겠다고 밝혔습니다.

SK하이닉스는 최근 급증하는 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 부지가 확보돼 있는 청주에 M15x를 건설하기로 밝힌 바 있습니다.

M15x는 연면적 6만3천평 규모의 복층 팹으로, 극자외선(EUV)을 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정이며, 실리콘관통전극(TSV) 캐파 확장 중인 M15와 인접해 있어 HBM 생산 효율을 극대화할 예정입니다.

SK하이닉스는 내년 11월 준공 후 오는 2026년 3분기부터 본격 양산에 들어갈 계획입니다.

이와 함께 용인 반도체 클러스터에 대한 의지도 드러냈습니다. 

용인 클러스터는 총 415만㎡(약 126만평) 규모 부지에 회사 팹 56만평, 소부장 업체 협력화 단지 14만 평, 인프라 부지 12만평 등이 조성됐습니다.

SK하이닉스는 팹 4기를 순차적으로 이곳에 구축할 계획이며, 협력화 단지에는 국내외 소부장 업체들이 입주할 계획입니다.

김영신 제조기술 담당(부사장은) "클러스터 부지 조성은 순조롭게 진행 중이며, SK하이닉스 첫 팹이 들어설 1단계 부지 조성 공사 진척률은 약 42%로 차질 없이 일정 진행 중"이라고 밝혔습니다. 

용인 클러스터 SK하이닉스 첫 팹은 내년 3월 공사 착수하고 2027년 5월 준공 예정입니다.

동시에 클러스터에는 미니팹도 건설할 예정입니다. 미니팹에서 소부장 업체는 시제품을 실제 양산 환경과 비슷한 환경에서 검증할 수 있으며, 기술 완성도를 높일 수 있는 최상의 솔루션을 제공받을 수 있다고 설명했습니다.

SK하이닉스는 약 9천억원이 투자되는 미니팹 프로젝트에 반도체 클린룸과 기술 인력을 무상 제공하고 정부, 경기도, 용인시가 장비 투자와 운영을 지원하기로 했습니다.

SK하이닉스는 용인 클러스터를 통해 국내 반도체 생태계를 강화하고 우리나라 반도체 주도권을 더욱 공고히 하겠다고 밝혔습니다.

한편, SK 하이닉스는 지난달 인디애나주 웨스트라피엣에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하기로 확정했습니다.

미 중서부를 중심으로 한 반도체 생태계인 실리콘 하트랜드의 주요 거점인 인디애나 공장에서는 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품이 양산될 예정입니다.

당신의 제보가 뉴스로 만들어집니다.SBS Biz는 여러분의 제보를 기다리고 있습니다.홈페이지 = https://url.kr/9pghjn

짧고 유익한 Biz 숏폼 바로가기

SBS Biz에 제보하기

저작권자 SBS미디어넷 & SBSi 무단전재-재배포 금지