네패스, 자체 개발한 도금액 HBM 공정에 양산 적용

올해 도금액 매출 규모 450억 원 예상

(지디넷코리아=장경윤 기자)네패스는 2년 전부터 초도 생산을 시작한 도금액이 HBM(고대역폭메모리)용 TSV(실리콘관통전극) 공정에 적용된다고 3일 밝혔다.

이정영 네패스 전자재료 사업부장은 "네패스는 기존 전량 수입에 의존하고 있던 기능성 반도체 재료인 도금액을 자체 연구개발과 협업으로 국산화한 바 있다"며 "올해부터는 TSV 공정용으로 본격적인 양산에 돌입한다"고 설명했다.

네패스가 국산화한 도금액은 미세 공정용으로 DDR5 이후 제품과 HBM 등에 사용된다. 성능과 공정성, 제품의 균일성이 우수해 10나노미터(nm) 이하 미세공정에 특화된 제품으로 인정받고 있다.

올해 도금액 매출은 450억 원 규모로 예상되며, 매년 30~40% 이상의 높은 성장률을 기록할 것으로 회사는 기대하고 있다.

네패스 전자재료 사업부가 제시한 올해 매출 전망치는 950억 원이다. 오는 2026년에는 고성능 D램과 AI반도체의 성장세에 힘입어 1천900억 원의 매출을 올리는 것이 목표다.

한편 네패스는 도금액과 함께 핵심 기능성 재료 중 하나인 PSPI(Photosensitive Polyimide)의 1차 개발도 완료했다. 현재는 고객사 제품 특성에 맞게 조율하는 과정을 거치고 있다.

층간 절연물질인 PSPI 재료는 고온용(375 ℃)와 저온용(200도 ℃)이 사용된다. 네패스는 "특히 저온 제품은 특성이 좋아 대만 기업들에 샘플을 제공하기 시작했다"며 "곧 가시적인 효과가 나오기를 기대한다"고 밝혔다.

장경윤 기자(jkyoon@zdnet.co.kr)

IT