네패스, HBM 도금액 국산화 성공… 연내 양산 개시
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네패스가 국산화에 성공한 기능성 반도체 재료인 도금액을 올해부터 본격 양산한다고 4일 밝혔다.
네패스에 따르면, 네패스가 개발한 도금액은 메모리 반도체 고객사의 고대역폭메모리(HBM) 실리콘관통전극(TSV) 공정에 채택됐다.
네패스는 국산화에 성공한 도금액이 HBM 외에도 10㎚(나노미터, 1㎚는 10억분의 1m) 이하 미세 공정이 적용되는 반도체에 특화된 제품이라고 설명했다.
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네패스가 국산화에 성공한 기능성 반도체 재료인 도금액을 올해부터 본격 양산한다고 4일 밝혔다.
반도체 칩 집적도를 높이면서 전기적 특성을 유지할 수 있도록 하는 도금액은 그동안 일본과 미국 등 해외 기업으로부터 전량 수입해 왔다.
네패스에 따르면, 네패스가 개발한 도금액은 메모리 반도체 고객사의 고대역폭메모리(HBM) 실리콘관통전극(TSV) 공정에 채택됐다. TSV 공정은 메모리 칩을 수직으로 쌓고 적층된 칩 사이에 전기적 신호가 전달되게 하는 공정으로 HBM 제조에 필수적으로 적용된다.
네패스는 국산화에 성공한 도금액이 HBM 외에도 10㎚(나노미터, 1㎚는 10억분의 1m) 이하 미세 공정이 적용되는 반도체에 특화된 제품이라고 설명했다.
네패스 관계자는 “올해 도금액 매출은 450억원 규모로 예상한다”며 “고성능 D램 반도체와 인공지능(AI) 반도체의 성장세와 맞물려 도금액 매출은 매년 30-40% 이상의 높은 성장률을 기록할 것”이라고 했다.
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