SK하이닉스 “차세대 HBM은 고객 맞춤화되고 메모리 이상 역할해야”

권언오 SK하이닉스 부사장. [사진출처= SK하이닉스]

SK하이닉스의 고대역폭 메모리(HBM) 기술 담당 임원인 권언오 부사장은 향후 HBM 시장에 대해 “고객이 원하는 가치를 담은 제품으로 전문화(specialized)되고 고객 맞춤화(customized)될 것”이라고 전망했다.

권 부사장은 28일 SK하이닉스 뉴스룸에 공개된 인터뷰에서 이같이 밝혔다. 그는 지난해 말 단행된 임원 인사에서 SK하이닉스가 신설한 ‘인공지능(AI) 인프라’ 조직에 합류해 HBM 기술 로드맵을 완성하는 중책을 맡고 있다.

권 부사장은 이번 인터뷰를 통해 “차세대 HBM이 기능적 우수함은 물론 고객별로 차별화한 역량을 갖추고 메모리 이상의 역할을 하는 형태로 진화돼야 한다”고 강조했다.

SK하이닉스가 업계를 선도하는 HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리다.

방대한 데이터를 신속하고 끊임없이 처리해야 하는 생성형 인공지능(AI)을 구동하려면 HBM과 같은 고성능 메모리가 반드시 필요하다.

현재 SK하이닉스는 HBM 4세대인 HBM3 시장의 90%를 점유하고 있다. 5세대 HBM인 HBM3E의 경우 세계에서 처음 양산해 이달 말부터 AI 칩 선두주자인 엔비디아에 공급한다.

권 부사장은 “향후 AI용 메모리는 현재와 같은 데이터센터향 외에도 특정 목적에 맞춰 성능과 효율성을 높인 주문형 반도체(ASIC)나 고객 제품에 최적화한 온디바이스(기기 자체적으로 AI를 구동하는 방식) 형태로 확대될 것”이라고 내다봤다.

이어 “HBM뿐 아니라 다양한 종류의 D램이 AI용 메모리로 사용될 것이고, 전통적 특성 외에 다양한 조건으로 특화된 소자 개발이 필요할 것”이라며 “이런 격변기에는 여러 기술을 융합해 시너지를 낼 수 있도록 시야를 넓히고, 도전이 실패하더라도 그 경험을 바탕으로 다시 도전하는 자세가 중요하다”고 말했다.

권 부사장은 D램 개발 연구위원으로 있던 2022년 세계 최초로 모바일용 D램인 LPDDR에 HKMG 공정을 도입했다.

HKMG 공정은 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량(Capacitance)을 개선한 차세대 공정이다. 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있다